Dua bentuk dasar
dari semikonduktor random-access memory adalah dinamic RAM (DRAM) dan static
RAM (SRAM). SRAM lebih cepat, lebih mahal dan kurang padat daripada DRAM dan
digunakan untuk memori cache. DRAM digunakan untuk memori utama.
Teknik koreksi error biasanya
digunakan dalam system memori. Keterlibatan ini menambahkan bit yang berlebihan
yang mana merupakan sebuah fungsi dari bit data untuk membentuk sebuah kode
perbaikan error.
Untuk mengimbangi kecepatan DRAM
yang realtif pelan, sejumlah kemajuan pengaturan DRAM telah diperkenalkan.
Elemen dasar dari memori semikonduktor adalah sel memori. Walaupun sebuah
varietas teknologi elektronik digunakan, sel memori semikonduktor membagi
beberapa properties :
- Sel
memori memiliki dua keadaan stabil (atau semi-stabil), yang dapat
digunakan untuk merepresentasikan bilangan biner 1 atau 0.
- Sel
memori mempunyai kemampuan untuk ditulisi (sedikitnya satu kali).
- Sel
memori mempunyai kemampuan untuk dibaca.
DRAM dan SRAM
karakteristik
RAM (Random Access Memory) adalah dimungkinkannya pembacaan dan
penulisan data ke memori secara cepat dan mudah. Aspek lain adalah RAM bersifat
volatile, sehingga RAM hanya menyimpan data sementara.RAM dinamik disusun
oleh sel-sel yang menyimpan data sebagai muatan listrik pada kapasitor. Karena
kapasitor memiliki kecenderungan alami untuk mengosongkan muatan, maka RAM
dinamik memerlukan pengisian muatan listrik secara periodik untuk memelihara
penyimpanan data. Pada RAM statik, nilai biner disimpan dengan menggunakan
konfigurasi gate logika flipflop tradisional. RAM static akan menyimpan data
selama ada daya listriknya.
ROM
berisi pola data permanen yang tidak dapat diubah. Keuntungannya sistem operasi maupun sistem perangkat keras akan
aman diletakkan dalam ROM.Kerugiaannya apabila ada kesalahan data atau adanya perubahan
data sehingga perlu penyisipan-penyisipan. Kerugian tersebut bisa diantisipasi
dengan jenis programmable ROM, disingkat PROM.ROM dan PROM bersifat non-volatile.
No comments:
Post a Comment